1、mos管输入特性曲线是什么呢?
MOS管的输入不叫输入特性曲线，而是叫转移特性曲线，意思是当漏源电压UDS为常数时，漏极电流iD与栅源电压uGS之间的函数关系。
在放大状态（MOS管工作于恒流区）时，输出特性曲线可近似为与横轴平行的一根直线，因此此时可以用一根转移特性曲线来代替恒流区的所有曲线。
但在可变电阻区时，对于不同的UDS，转移特性曲线变化很大。
2、请问四种mos管的开关特性
1. 实际使用中不太关心什么增强型、耗尽型，可能是工艺已经不是瓶颈了，只需要关注具体参数。截止、导通规则理解正确。
2. 需注意的是：N型管在导通后g电压要高于s电压某个范围以上才能维持饱和导通，这样损耗最小。这个压差对于小信号开关管一般是2.5V，功率管一般是4.5V, Vg-Vs>4.5V。截止时电压最好为0, 任何浮动都可能导致放大态而迅速发热。所以N型s极经常接地，g极常有弱下拉。同理P型管要让它饱和导通或深度截止，S-G的压差也要维持在特定范围。
3. 开关电源的控制芯片除了产生带死区推挽式脉冲外，就是让所产脉冲符合上述要求的电压。
3、MOS管输出特性曲线有三个区分别是
在曲线中，工作区可分为三部分：
可调电阻区（或称非饱和区）；
饱和区；
击穿区。
4、请教关于MOS管的温度特性曲线问题
这个是描述MOS管体二极管Vf特性的曲线图，你按二极管的特性理解就行
对于二极管，即Vsd
当电流越大时，Vf也越大，所以你看某一温度对应的，横轴电流越大，对应的纵轴电压越大（二极管的VF是随着Io增加而变大）
另一方面，结温越高，二极管的VF是越低。所以从图上，你看某一电流值，Tj越大的，他的VSD是越小的
5、mos管的八大特性都是啥
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6、关于MOS管的特性曲线问题
MOS管的输入不叫输入特性曲线，而是叫转移特性曲线，意思是当漏源电压UDS为常数时，漏极电流iD与栅源电压uGS之间的函数关系。在放大状态（MOS管工作于恒流区）时，输出特性曲线可近似为与横轴平行的一根直线，因此此时可以用一根转移特性曲线来代替恒流区的所有曲线。但在可变电阻区时，对于不同的UDS，转移特性曲线变化很大。
7、MOS管输入输出特性曲线和三极管输入输出特性曲线的参数一样吗?
不一样
我们通常在MOS管的资料上是看不到输入特性曲线的。
顾名思义“MOS”即金属氧化物绝缘栅半导体晶体管，它的输入回路是绝缘的。
也就是说不论输入电压多大（额定范围内），它的输入电流都是零。
所以也就不需要提供输入特性曲线了。
不同于MOS管，普通的三极管（BJT）的输入回路是一个PN结，它有正向导通和反向击穿特性。
所以BJT手册里面有输入特性曲线，而MOS管手册里面没有输入特性曲线。
8、mos管开关特性
MOS管的开关特性：
MOS管最显著的特点也是具有放大能力。不过它是通过栅极电压uGS控制其工作状态的，是一种具有放大特性的由电压uGS控制的开关元件。
1、静态特性
MOS管作为开关元件，同样是工作在截止或导通两种状态。由于MOS管是电压控制元件，所以主要由栅源电压uGS决定其工作状态。
2、 漏极特性
反映漏极电流iD和漏极-源极间电压uDS之间关系的曲线族叫做漏极特性曲线，简称为漏极特性，也就是表示函数 iD=f(uDS)|uGS的几何图形，当uGS为零或很小时，由于漏极D和源极S之间是两个背靠背的PN结，即使在漏极加上正电压（uDS>0V），MOS管中也不会有电流，也即管子处在截止状态。
3、转移特性
反映漏极电流iD和栅源电压uGS关系的曲线叫做转移特性曲线，简称为转移特性，也就是表示函数 iD=f(uGS)|uDS的几何图形。当uGS<UTN时，MOS管是截止的。当uGS>UTN之后，只要在恒流区，转移特性曲线基本上是重合在一起的。曲线越陡，表示uGS对iD的控制作用越强，也即放大作用越强，且常用转移特性曲线的斜率跨导gm来表示。
4、P沟道增强型MOS管
上面讲的是N沟道增强型MOS管。对于P沟道增强型MOS管，无论是结构、符号，还是特性曲线，与N沟道增强型MOS管都有着明显的对偶关系。其衬底是N型硅，漏极和源极是两个P+区，而且它的uGS、uDS极性都是负的，开启电压UTP也是负值。
拓展资料：
MOS管开关电路是利用一种电路，是利用MOS管栅极（g）控制MOS管源极（s）和漏极（d）通断的原理构造的电路。MOS管分为N沟道与P沟道，所以开关电路也主要分为两种。
PMOS的开关特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况（高端驱动）。需要注意的是，Vgs指的是栅极G与源极S的电压，即栅极低于电源一定电压就导通，而非相对于地的电压。但是因为PMOS导通内阻比较大，所以只适用低功率的情况。大功率仍然使用N沟道MOS管。
NMOS的开关特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况（低端驱动），只要栅极电压大于参数手册中给定的Vgs就可以了，漏极D接电源，源极S接地。需要注意的是Vgs指的是栅极G与源极S的压差，所以当NMOS作为高端驱动时候，当漏极D与源极S导通时，漏极D与源极S电势相等，那么栅极G必须高于源极S与漏极D电压，漏极D与源极S才能继续导通。
9、MOS管特性,包括电流流向,沟道开启条件
MOS管的特性：1、它的栅极-源极间电阻很大，可达10GΩ以上。2、噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强、耗电省。3、集成化时工艺简单，因此广泛用于大规模和超大规模集成电路之中。
MOS管有N沟道和P沟道两类，每一类又分为增强型和耗尽型两种，凡栅极-源极电压为零时漏极电流也为零的管子，均属于增强型管；凡凡栅极-源极电压为零时漏极电流不为零的管子，均属于耗尽型管。
电路中常用增强型MOS管，其工作原理：当栅极-源极电压变化时，将改变衬底靠近绝缘层处感应电荷的多少，从而控制漏极电流的大小。
电流流向：由漏极d流向源极s。
沟道开启条件：N沟道增强型场效应管：当VGS＞VT（开启电压）时，衬底中的电子进一步被吸至栅极下方的P型衬底表层，使衬底表层中的自由电子数量大于空穴数量，该薄层转换为N型半导体，称此为反型层。形成N源区到N漏区的N型沟道。把开始形成反型层的VGS值称为该管的开启电压VT。这时，若在漏源间加电压 VDS，就能产生漏极电流 I D，即管子开启。 VGS值越大，沟道内自由电子越多，沟道电阻越小，在同样 VDS 电压作用下， I D 越大。这样，就实现了输入电压 VGS 对输出电流 I D 的控制。
MOS管的三个工作区域：可变电阻区、恒流区和夹断区。
P沟道增强型MOS管的开启电压VT小于零，当VGS小于VT时，管子才导通，漏极-源极之间应加负电源电压。